Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Tursunov I$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
|||
| 1. | 
Zainabidinov S. Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon [Електронний ресурс] / S. Zainabidinov, O. O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I. G. Tursunov // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - С. 951-954. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_11_7 Ефект п'єзорезистентності досліджено в компенсованих і термічно оброблених зразках Si: Zn і Si: Zn, Mn за одновісного пружного стискування. Показано, що цей ефект зумовлений змінами концентрації та рухливості носіїв струму. Аномальні зміни рухливості носіїв за стиску навколо кристалографічної осі [111] пов'язані зі зміною їх розсіювання на великомасштабних утвореннях дефектів. | ||
| 2. | 
Zainabidinov S. Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon [Електронний ресурс] / S. Zainabidinov, O. O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I. G. Tursunov // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 11. - С. 957-960. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_11_7 Ефект п'єзорезистентності досліджено в компенсованих і термічно оброблених зразках Si: Zn і Si: Zn, Mn за одновісного пружного стискування. Показано, що цей ефект зумовлений змінами концентрації та рухливості носіїв струму. Аномальні зміни рухливості носіїв за стиску навколо кристалографічної осі [111] пов'язані зі зміною їх розсіювання на великомасштабних утвореннях дефектів. | ||
| 3. |
Tursunov I. G. Investigations of the deep-level parameters in semiconductors [Електронний ресурс] / I. G. Tursunov // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 12. - С. 1041-1043. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_12_6 Запропоновано методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках p-типу Si: Ni та n-типу Si: Mn за однорідного імпульсного гідростатичного стискування (ОГС). Встановлено, що в p-типу Si: Ni зразках енергія іонізації Ni за ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si: Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими. | ||
| 4. |
Tursunov I. G. Investigations of the deep-level parameters in semiconductors [Електронний ресурс] / I. G. Tursunov // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_12_6 Запропоновано методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках p-типу Si: Ni та n-типу Si: Mn за однорідного імпульсного гідростатичного стискування (ОГС). Встановлено, що в p-типу Si: Ni зразках енергія іонізації Ni за ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si: Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |